物(化) 性失效分析 PFA 

Decap 開封

Bare Die Extraction 取晶粒

De-layer/De-process 去層解剖

Staining-Rom Code 碼點染色

Staining-P/N 阱染色

Staining-Resistor zone 電阻染色

De-Gold Bump 去金凸塊

金相分析 

精密定點及非定點研磨制樣 / 金相切片

顯微觀察分析（Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷場發(fā)射電鏡+ EDS）

電性失效分析 EFA 

EMMI 微光顯微檢查

LC Hot Spot 液晶熱點偵測

OBIRCH 鐳射光束誘發(fā)阻值變化測試

Probe Station 探針應(yīng)用

FIB聚焦離子束應(yīng)用

微線路修改

測試鍵生成

Cross-Section

VC

精密切割及加工

無損偵測 

X-Ray + 3D CT（三維斷層掃描技術(shù)）

C-SAM 掃描超聲波

芯片逆向工程及工藝評估

成功的正向設(shè)計需要隨時更新已有設(shè)計思路，糾正設(shè)計缺陷。反向設(shè)計作為一種輔助工具，可以幫助電路設(shè)計工程師在短時間里積累足夠多的設(shè)計經(jīng)驗并開發(fā)適合自身設(shè)計水平的工藝參數(shù)，有效規(guī)避風(fēng)險、提高效率。也可幫助設(shè)計公司提升產(chǎn)品競爭力，或為保護自主產(chǎn)品知識產(chǎn)權(quán)提供有效證據(jù)。

靜電放電/閂鎖效應(yīng)測試 

ESD-HBM 人體模式

ESD-MM 機器放電模式

ESD-CDM 充電元器件模式

Latch-Up 閂鎖效應(yīng)測試

材料分析

AES 俄歇電子能譜儀應(yīng)用

AFM 原子力顯微鏡應(yīng)用

EELS 電子能量損失分析儀應(yīng)用

FT-IR 傅立葉紅外顯微鏡應(yīng)用              

SEM/EDS 掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀應(yīng)用

SIMS 二次離子能譜儀（特殊定點/非定點制樣、元素分析）

TEM 透射電鏡（定點/非定點制樣及上機觀察）

TOF-SIMS 飛行時間二次離子質(zhì)譜應(yīng)用

XPS X射線光電子能譜儀應(yīng)用

可靠性測試

靜態(tài)環(huán)境可靠性測試…

動態(tài)環(huán)境可靠性試驗…

機械應(yīng)力可靠性試驗…

高加速壽命試驗…