JESD22-A102-B是一項關于電子元器件在高溫高濕環(huán)境下的無偏置高壓蒸煮試驗方法。以下是對JESD22-A102-B的具體解釋：
標準背景
JEDEC組織：JESD22標準系列由JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council，電子元件工業(yè)聯(lián)合會）制定，該組織是一個全球性的半導體行業(yè)標準制定機構(gòu)。
標準目的
評估耐濕性：JESD22-A102-B旨在評估非氣密性封裝的固態(tài)元件在高溫高濕環(huán)境下的抗?jié)裥阅?span id="rgn5ianvf" class="custom-footnote" data-index="4" style="box-sizing: border-box; display: inline-block; width: 0.5625rem; height: 0.6875rem; font-size: 0.75rem; text-align: center; color: rgb(255, 255, 255); cursor: pointer; font-weight: 600; margin: 0px 0.0625rem; background: url("https://openres.xfyun.cn/xfyundoc/2024-04-21/9a6ae90a-8c57-4672-b21a-dba98d4f5917/1713685044472/111.svg") center 0px / 100% no-repeat;">。
識別失效機制：通過加速濕氣滲透到封裝內(nèi)部，使弱點暴露，如分層、金屬腐蝕等，從而識別封裝內(nèi)部的失效機制。
測試條件
溫度和濕度：樣品需放置在高溫（通常為121°C）和高濕（相對濕度接近100%）的環(huán)境中進行測試。
壓力條件：測試在高壓條件下進行，以加速濕氣滲透過程。
測試流程
準備階段：確保測試樣品符合測試要求，并準備好測試設備和環(huán)境。
測試階段：將樣品置于規(guī)定的高溫高濕環(huán)境中，持續(xù)一定時間（如96小時），期間保持溫度和濕度的穩(wěn)定。
恢復階段：測試結(jié)束后，樣品需在特定條件下恢復至室溫，并進行電性能測試以評估其性能變化。
注意事項
適用范圍：本標準不適用于基于封裝的層壓板或膠帶，如FR4材料、聚酰亞胺膠帶等。
污染控制：測試過程中需嚴格控制污染，避免離子污染對測試結(jié)果的影響。
總的來說，JESD22-A102-B標準對于提高電子元器件的可靠性具有重要意義。通過遵循這一標準，制造商可以更好地了解產(chǎn)品的性能表現(xiàn)，從而改進產(chǎn)品設計和制造工藝，提高產(chǎn)品的市場競爭力。