采用 GTEM(吉赫茲?rùn)M電磁波)進(jìn)行電磁兼容性測(cè)試是近年來國(guó)際電磁兼容領(lǐng)域發(fā)展的一項(xiàng)新的測(cè)量技術(shù)。由于 GTEM 的寬頻帶特性(從直流到微波),低造價(jià)(只相當(dāng)電波暗室造價(jià)的百分之幾),既可用于電磁輻射敏感度試驗(yàn)(EMS 試驗(yàn)。有時(shí)也稱抗擾度試驗(yàn)),又可用于電磁輻射試驗(yàn)(EMI試驗(yàn))而且所用儀器(相對(duì)在電波暗 室中做試驗(yàn)來說)有配置簡(jiǎn)單,成本便宜和可用于快速和自動(dòng)測(cè)試的特點(diǎn),所以越來 越受到國(guó)際和國(guó)內(nèi)有關(guān)人士的重視。其中尤以對(duì)待小設(shè)備的測(cè)試,GTEM 小室的測(cè)量 方案是性能價(jià)格比最佳的測(cè)試方案。
需要重點(diǎn)指出的是:目前 IEC61000-4-3 標(biāo)準(zhǔn)中已在附錄中取消GTEM 室的內(nèi)容, 轉(zhuǎn)而通過單列 IEC61000-4-20 標(biāo)準(zhǔn)重新描述GTEM 小室技術(shù),目前在電表標(biāo)準(zhǔn)中引用的為IEC61000-4-3 標(biāo)準(zhǔn),即意味著最終檢測(cè)認(rèn)定須在暗室內(nèi)測(cè)試環(huán)境下評(píng)定,但GTEM 室在射頻輻射抗擾度測(cè)試項(xiàng)目中對(duì)小體積設(shè)備測(cè)試的應(yīng)用測(cè)試結(jié)果的一致性已 為很多檢測(cè)機(jī)構(gòu)認(rèn)同,加之其擁有暗室測(cè)量系統(tǒng)無法比擬的高性價(jià)比,使更多企業(yè)能夠進(jìn)行這項(xiàng)試驗(yàn),所以目前還是許多企業(yè)進(jìn)行射頻輻射抗擾度測(cè)試的首選方案。
試驗(yàn)?zāi)康?nbsp;
為評(píng)價(jià)電氣和電子設(shè)備的抗射頻輻射電子磁場(chǎng)干擾的能力建立一個(gè)共同的依據(jù)。
隨著技術(shù)的發(fā)展,電磁環(huán)境的惡化,測(cè)試頻率已從早期的 27~500MHz 擴(kuò)展到今天的80~1000MHz。其中高頻段的擴(kuò)展與移動(dòng)電話的普遍使用有關(guān)。如它的工作頻率已擴(kuò)展到900 MHz(甚至更高)。對(duì) 80 MHz 的下部分將由 GB/T17626.6-1998(對(duì)應(yīng)的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)為 IEC61000-4-6:1995)以傳導(dǎo)的方式進(jìn)行補(bǔ)充。
GTEM 室常用試驗(yàn)儀器 信號(hào)發(fā)生器(注意其帶寬,要求調(diào)幅功能,能自動(dòng)掃描,在掃描點(diǎn)上的留駐時(shí)間可控, 信號(hào)輸出幅度可控);功率放大器(注意其帶寬,另外最大輸出功率應(yīng)與試驗(yàn)的場(chǎng)強(qiáng)相匹配);天線(輻射天線)場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試探頭;場(chǎng)強(qiáng)測(cè)試與記錄設(shè)備。為完成自動(dòng)測(cè)量,還要增加計(jì)算機(jī)相應(yīng)的控制軟件。
試驗(yàn)的嚴(yán)酷度等級(jí) 分三級(jí):
1 級(jí) 1V/m
2 級(jí) 3V/m
3 級(jí) 10V/m
其中:1 級(jí)為 低輻射環(huán)境,如離電臺(tái)電視臺(tái) 1km 以上附近只有小功率移動(dòng)電話在使用。2 級(jí)為中等輻射環(huán)境,如不在近于 1m 處使用小功率移動(dòng)電話,是典型的 商業(yè)環(huán)境。3 級(jí)是較為嚴(yán)酷的輻射環(huán)境,如在 1m 左右處使用移動(dòng)電話;或附近有大功率發(fā)射機(jī)在工作,為典型的工業(yè)環(huán)境。
GTEM 小室
GTEM 小室是在橫電磁波室(TEM 室)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來一種新型電磁兼容測(cè)試設(shè)備。
后者本身具有結(jié)構(gòu)封閉,不向外輻射電磁能量,不影響操作人員健康和不干擾其它儀器的工作;由于結(jié)構(gòu)封閉的特點(diǎn),亦不受外界環(huán)境及干擾的影響;工作頻率較寬,可從 DC~1000MHz,甚至更高;場(chǎng)強(qiáng)范圍大,從強(qiáng)場(chǎng)(如 300V/m)至弱場(chǎng)(如10μV/m)均可測(cè)試,且場(chǎng)值控制容易。
吉赫芝橫電磁波的結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。
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